芯片表面 納米級污染元素（TOF-SIMS）

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注意：因業務調整，暫不接受個人委托測試望見諒。

信息概要

芯片表面納米級污染元素（TOF-SIMS）檢測是一項針對半導體、微電子及其他高精度器件表面污染的精密分析服務。通過飛行時間二次離子質譜（TOF-SIMS）技術，能夠檢測出芯片表面納米級別的污染物元素，包括金屬、有機物和無機物等。此類檢測對于確保芯片性能、可靠性和良率至關重要，尤其在高端制造領域，微小的污染可能導致器件失效或性能下降。第三方檢測機構提供專業的TOF-SIMS檢測服務，幫助客戶識別污染源并優化生產工藝。

檢測項目

金屬污染物（如鈉、鉀、鐵、銅、鋁、鎳、鉻、鋅、鈦、鎢），有機污染物（如硅油、光刻膠殘留、碳氫化合物、氟化物、硫化物），無機污染物（如氯化物、氧化物、氮化物、磷化物、硼化物），表面元素分布，污染物深度分布，污染物濃度，表面化學狀態，污染物來源分析，顆粒物檢測，表面形貌分析，污染物化學鍵合狀態，污染物遷移分析，污染物吸附能力，污染物揮發性，污染物熱穩定性，污染物電化學特性，污染物光學特性，污染物生物相容性，污染物環境穩定性

檢測范圍

半導體芯片，集成電路，微機電系統（MEMS），光電子器件，傳感器，太陽能電池，顯示面板，封裝材料，晶圓，薄膜材料，納米材料，電子封裝，印刷電路板，光學涂層，磁性材料，生物芯片，柔性電子，功率器件，射頻器件，量子點材料

檢測方法

飛行時間二次離子質譜（TOF-SIMS）：通過高能離子束轟擊樣品表面，檢測濺射出的二次離子，實現元素和分子級別的表面分析。

X射線光電子能譜（XPS）：通過測量光電子的動能，分析表面元素的化學狀態和組成。

俄歇電子能譜（AES）：利用俄歇電子信號分析表面元素分布和化學狀態。

掃描電子顯微鏡（SEM）：通過電子束掃描樣品表面，獲取高分辨率形貌信息。

透射電子顯微鏡（TEM）：通過電子束穿透樣品，分析納米級結構和成分。

原子力顯微鏡（AFM）：通過探針掃描表面，獲取納米級形貌和力學性能。

傅里葉變換紅外光譜（FTIR）：通過紅外吸收光譜分析表面有機污染物。

拉曼光譜（Raman）：通過拉曼散射信號分析表面分子結構和化學鍵。

輝光放電質譜（GDMS）：通過輝光放電離子化技術，分析體材料和表面污染物。

電感耦合等離子體質譜（ICP-MS）：通過高溫等離子體離子化，檢測痕量金屬污染物。

二次離子質譜（SIMS）：通過離子束濺射表面，分析元素和分子組成。

能量色散X射線光譜（EDS）：結合SEM或TEM，分析表面元素組成。

熱脫附質譜（TDS）：通過加熱樣品，分析釋放出的氣體污染物。

氣相色譜-質譜聯用（GC-MS）：通過氣相色譜分離和質譜檢測，分析揮發性有機污染物。

液相色譜-質譜聯用（LC-MS）：通過液相色譜分離和質譜檢測，分析非揮發性有機污染物。

檢測儀器

飛行時間二次離子質譜儀（TOF-SIMS），X射線光電子能譜儀（XPS），俄歇電子能譜儀（AES），掃描電子顯微鏡（SEM），透射電子顯微鏡（TEM），原子力顯微鏡（AFM），傅里葉變換紅外光譜儀（FTIR），拉曼光譜儀（Raman），輝光放電質譜儀（GDMS），電感耦合等離子體質譜儀（ICP-MS），二次離子質譜儀（SIMS），能量色散X射線光譜儀（EDS），熱脫附質譜儀（TDS），氣相色譜-質譜聯用儀（GC-MS），液相色譜-質譜聯用儀（LC-MS）

實驗儀器

測試流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。

2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準。

3.關于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（芯片表面 納米級污染元素（TOF-SIMS））還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。