深紫外LED外延片晶體質量測試

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注意：因業務調整，暫不接受個人委托測試望見諒。

信息概要

深紫外LED外延片晶體質量測試是評估外延片材料性能的關鍵環節，涉及晶體結構、缺陷密度、光學特性等多方面指標。該檢測對確保深紫外LED的性能、可靠性和壽命至關重要，尤其在醫療殺菌、水處理、高精度光刻等領域，高質量的晶體材料是器件高效穩定工作的基礎。第三方檢測機構通過專業設備和方法，為客戶提供準確、客觀的檢測數據，助力產品研發和質量控制。

檢測項目

晶體缺陷密度，位錯密度，表面粗糙度，厚度均勻性，摻雜濃度，載流子濃度，遷移率，電阻率，發光波長，發光強度，半峰寬，內量子效率，外量子效率，擊穿電壓，漏電流，熱阻，應力分布，晶體取向，界面態密度，雜質含量

檢測范圍

AlGaN基深紫外LED外延片，InAlGaN基深紫外LED外延片，藍寶石襯底深紫外外延片，SiC襯底深紫外外延片，Si襯底深紫外外延片，單量子阱深紫外外延片，多量子阱深紫外外延片，高Al組分深紫外外延片，低Al組分深紫外外延片，非極性深紫外外延片，半極性深紫外外延片，p型摻雜深紫外外延片，n型摻雜深紫外外延片，非故意摻雜深紫外外延片，超晶格結構深紫外外延片，緩沖層深紫外外延片，應變弛豫深紫外外延片，圖形化襯底深紫外外延片，納米柱結構深紫外外延片，異質結深紫外外延片

檢測方法

X射線衍射（XRD）：分析晶體結構和取向。

原子力顯微鏡（AFM）：測量表面形貌和粗糙度。

光致發光光譜（PL）：評估發光特性及缺陷。

電致發光光譜（EL）：測試器件發光性能。

霍爾效應測試：測定載流子濃度和遷移率。

二次離子質譜（SIMS）：分析摻雜和雜質分布。

透射電子顯微鏡（TEM）：觀察微觀結構和缺陷。

掃描電子顯微鏡（SEM）：檢查表面和截面形貌。

拉曼光譜：研究應力分布和晶體質量。

陰極熒光光譜（CL）：表征局部發光特性。

電流-電壓特性測試（I-V）：評估電學性能。

電容-電壓特性測試（C-V）：分析界面態和摻雜。

熱反射法：測量外延片熱阻。

橢偏儀：測定薄膜厚度和光學常數。

深能級瞬態譜（DLTS）：檢測深能級缺陷。

檢測儀器

X射線衍射儀，原子力顯微鏡，光致發光光譜儀，電致發光光譜儀，霍爾效應測試系統，二次離子質譜儀，透射電子顯微鏡，掃描電子顯微鏡，拉曼光譜儀，陰極熒光光譜儀，半導體參數分析儀，電容-電壓測試儀，熱反射測量系統，橢偏儀，深能級瞬態譜儀

實驗儀器

測試流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。

2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準。

3.關于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（深紫外LED外延片晶體質量測試）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。