硅片鈉鉀污染

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注意：因業務調整，暫不接受個人委托測試望見諒。

信息概要

硅片鈉鉀污染檢測是半導體和光伏行業質量控制的重要環節，鈉（Na）和鉀（K）作為常見的堿金屬污染物，會嚴重影響硅片的電學性能和器件可靠性。第三方檢測機構通過專業設備和方法，精準分析硅片表面及體內的鈉鉀含量，幫助客戶優化生產工藝、提升產品良率。檢測服務涵蓋原材料篩查、生產過程監控及成品質量驗證，確保硅片符合行業標準（如SEMI、ISO）及客戶特定需求。

檢測項目

鈉含量，鉀含量，表面污染濃度，體內污染分布，污染深度剖面，顆粒污染物，氧化層鈉鉀含量，金屬雜質總量，表面吸附量，離子遷移率，污染來源分析，熱處理影響評估，清洗工藝效果驗證，環境污染物附著量，表面粗糙度與污染相關性，電學性能影響評估，鈍化層鈉鉀滲透率，界面態密度，載流子壽命，污染與缺陷關聯性

檢測范圍

單晶硅片，多晶硅片，拋光硅片，研磨硅片，外延硅片，SOI硅片，太陽能級硅片，半導體級硅片，超薄硅片，重摻硅片，輕摻硅片，氮化硅涂層硅片，碳化硅涂層硅片，退火硅片，離子注入硅片，擴散硅片，蝕刻硅片，光刻膠殘留硅片，化學機械拋光硅片，回收硅片

檢測方法

二次離子質譜法（SIMS）：通過離子濺射逐層分析硅片體內鈉鉀分布

原子吸收光譜法（AAS）：測定硅片溶解液中鈉鉀元素含量

電感耦合等離子體質譜法（ICP-MS）：高靈敏度檢測痕量鈉鉀污染

全反射X射線熒光光譜法（TXRF）：非破壞性分析硅片表面金屬污染

飛行時間二次離子質譜法（TOF-SIMS）：實現表面污染三維成像

輝光放電質譜法（GD-MS）：檢測體材料中ppb級鈉鉀雜質

傅里葉變換紅外光譜法（FTIR）：分析鈉鉀引起的晶格缺陷

掃描電子顯微鏡-能譜法（SEM-EDS）：定位微區鈉鉀污染位置

俄歇電子能譜法（AES）：表面5nm深度內元素定量分析

X射線光電子能譜法（XPS）：測定表面化學態及污染濃度

熱脫附光譜法（TDS）：評估熱處理過程中鈉鉀釋放特性

電容-電壓法（C-V）：檢測鈉鉀污染對MOS結構的影響

表面光電壓法（SPV）：評估污染導致的少子壽命變化

微波光電導衰減法（μ-PCD）：非接觸測量載流子復合特性

激光誘導擊穿光譜法（LIBS）：快速篩查表面污染分布

檢測儀器

二次離子質譜儀，原子吸收光譜儀，電感耦合等離子體質譜儀，全反射X射線熒光光譜儀，飛行時間二次離子質譜儀，輝光放電質譜儀，傅里葉變換紅外光譜儀，掃描電子顯微鏡，能譜儀，俄歇電子能譜儀，X射線光電子能譜儀，熱脫附分析儀，電容-電壓測試儀，表面光電壓測試系統，微波光電導衰減測試儀

實驗儀器

測試流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。

2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準。

3.關于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（硅片鈉鉀污染）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。