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注意：因業務調整，暫不接受個人委托測試望見諒。

刻蝕實驗檢測分析報告

檢測樣品

本次實驗檢測樣品為硅基半導體材料，具體包括以下兩類：

1. 單晶硅片：厚度500微米，表面經拋光處理，純度≥99.99%。
2. 氮化硅薄膜：通過化學氣相沉積（CVD）工藝制備，厚度200納米，均勻性誤差≤3%。

檢測項目

實驗涵蓋以下關鍵檢測項目：

• 刻蝕速率：量化材料在特定條件下的刻蝕速度。
• 表面形貌分析：觀察刻蝕后樣品的表面粗糙度與微觀結構變化。
• 成分殘留檢測：分析刻蝕后表面是否存在未反應氣體或副產物。
• 選擇比測定：評估刻蝕工藝對目標材料與非目標材料的刻蝕差異性。

檢測方法

1. 刻蝕速率測定 采用**輪廓儀（Profilometer）**對刻蝕前后的樣品進行厚度測量，通過差值計算單位時間內的刻蝕深度。

2. 表面形貌分析 使用**掃描電子顯微鏡（SEM）與原子力顯微鏡（AFM）**對刻蝕區域進行高分辨率成像，獲取表面三維形貌及粗糙度數據（Ra值）。

3. 成分殘留檢測 通過**X射線光電子能譜（XPS）**分析刻蝕表面元素組成，檢測氟、碳等殘留物濃度。

4. 選擇比計算 結合刻蝕速率數據，利用公式計算硅與氮化硅的刻蝕速率比值，公式為： 選擇比=硅刻蝕速率氮化硅刻蝕速率選擇比=氮化硅刻蝕速率硅刻蝕速率?

檢測儀器

實驗使用的主要儀器及參數如下：

• 輪廓儀：Dektak XT型，垂直分辨率0.1納米，掃描長度10毫米。
• 掃描電子顯微鏡：蔡司Sigma 500，加速電壓5 kV，分辨率1.2納米。
• X射線光電子能譜儀：Thermo Scientific K-Alpha，單色化Al Kα射線，能量分辨率0.5 eV。
• 原子力顯微鏡：Bruker Dimension Icon，掃描范圍10微米×10微米，探針曲率半徑2納米。

結果與討論

實驗數據表明，在CF?/O?混合氣體刻蝕條件下，單晶硅片的平均刻蝕速率為120納米/分鐘，氮化硅薄膜刻蝕速率為20納米/分鐘，選擇比達到6:1，滿足半導體工藝要求。SEM圖像顯示刻蝕后表面無明顯殘留物，AFM測得粗糙度Ra值為0.8納米，表明工藝具有較高的均勻性。XPS檢測未發現氟碳化合物殘留，證實刻蝕氣體反應充分。

結論

本次刻蝕實驗驗證了工藝參數的有效性，檢測結果符合高精度半導體制造標準，為后續優化提供了可靠數據支撐。

實驗儀器

測試流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準。

2.文章中的圖片或者標準以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準。

3.關于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（刻蝕實驗檢測）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。